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加州大學(xué)發(fā)現二硫化鉬晶體管抗高溫特性
發(fā)布者：管理員 發(fā)布時(shí)間：2015-03-03 09:56:46 瀏覽次數：2007
需要抗高溫電子器件的應用數量不斷增長(cháng)，渦輪機和井下傳感等應用都需要能在200℃以上溫度工作的電子器件。
加州大學(xué)河濱分校和倫斯勒理工學(xué)院的研究人員發(fā)現二硫化鉬薄膜晶體管可用于此類(lèi)極端溫度應用場(chǎng)合。
加大河濱分校教授亞歷山大·巴蘭丁表示：‘研究表明二硫化鉬薄膜晶體管至少在220℃還能保持功能。在經(jīng)過(guò)兩個(gè)月的老化之后，這種晶體管仍然能夠穩定工作。‘
利用標準光刻技術(shù)，巴蘭丁教授的研究團隊在硅襯底上構建出二硫化鉬晶體管。巴蘭丁教授指出：一些晶體管只有幾層，而其他晶體管則多至18層。薄膜越厚，晶體管的熱穩定性越強，在高溫下表現出更高的電子遷移率。
通過(guò)直流測量，研究人員研究了二硫化鉬晶體管在26℃～223℃之間的電流電壓特性或功能特性。他們發(fā)現晶體管的性能不同，但當溫度上升時(shí)仍然保持功能。
巴蘭丁表示：‘遷移率和門(mén)限電壓隨著(zhù)溫度而降低。單層二硫化鉬的帶隙為1.9電子伏特，比硅和砷化鎵的要大，這對于高溫應用是有益的。‘(來(lái)源：慧聰網(wǎng)）
